<acronym id="8v9J6"></acronym>

<optgroup id="8v9J6"></optgroup>

<ruby id="8v9J6"></ruby><span id="8v9J6"></span>
  • <ol id="8v9J6"></ol>

     
     
    收藏本站  |  English  |  联系我们  |  中国科学院
       

    新疆福利时时彩平台_时时彩平台APP排行2018_多宝时时彩平台手机版

    近日,重庆时时彩|时时彩平台|时时彩投注平台研究员Henry Radamson和副研究员王桂磊在先导中心8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗(TSGOI)晶圆。该项技术突破,实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调,使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。这一成果为微电子学和光子学的单片集成提供了新的路径和解决方案。
      综合新闻
      科研动态
      合作交流
      发表文章
      党务公开
      业内信息
      电子期刊
    《芯天地》2018年第3期
    目 录 特别报道 1. 微电子所成功举办第五届科技开放日暨六十周年所庆专场 2. 微电子所与苏州工业园区管...
      通知公告
      招生招聘
  • 重庆时时彩|时时彩平台|时时彩投注平台信息中心业务主管岗位公开招聘启事
  • 重庆时时彩|时时彩平台|时时彩投注平台科教融合中心业务主管招聘启事
  •     重庆时时彩|时时彩平台|时时彩投注平台版权所有 邮编:100029
    单位地址:北京市朝阳区北土城西路3号,电子邮件:webadmin@ime.ac.cn
    京公网安备110402500036号
     
    http://utpfypla.1888737.cn http://www.1888737.cn http://1888737.cn http://m.1888737.cn http://wap.1888737.cn
    宝马集团时时平台 铂爵时时平台官网 皇冠信用正网网址 澳门皇冠黄网 澳门银座时时彩平台
    爱博体育lovebet| 爱博体育app| 西甲赞助商lovebet体育| lovebet爱博体育官网| lovebet体育官网|